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影響陽極氧化與哪些因素有關(guān)?

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H2SO4濃度。改變H2SO4濃度對氧化膜的阻擋層厚度,溶液的導電性、陽極氧化膜的耐蝕性和耐磨性以及后處理的封孔質(zhì)量都將產(chǎn)生一定的影響。

  H2SO4濃度。改變H2SO4濃度對氧化膜的阻擋層厚度,溶液的導電性、陽極氧化膜的耐蝕性和耐磨性以及后處理的封孔質(zhì)量都將產(chǎn)生一定的影響。H2SO4濃度阻擋層厚度維持電壓耐蝕、耐磨性氣化膜質(zhì)量膜層發(fā)灰,疏松,膜孔外層孔徑大,封孔困難。槽液溫度陽極氧化過程中,部分電能會轉(zhuǎn)化為熱能,槽液溫度會不斷上升,而隨著溫度的上升,膜層損失會增加而且成膜質(zhì)量變差,膜耐磨性下降,尤其對15um以上膜層,甚至在空氣中就會出現(xiàn)“粉化”現(xiàn)象,因此過程中需要對槽液降溫,以維持適宜的溫度。一般來說:槽溫在一定范圍內(nèi)提高,獲得陽極氧化膜重量減小,膜變軟但較光亮。槽液溫度高,生成的氧化膜外層膜孔徑和度變大,造成封孔困難,也易產(chǎn)生封孔“粉霜”。槽溫較高時,陽極氧化膜易染色。但對于保持顏色深淺一致時較難,所以一般染色膜的陽極氧化溫度為20~25℃降低溫度,得到的氧化膜硬度高,耐磨性好,在陽極氧化過程中維持電流密度所需電壓較高,能耗大,所以一般普通陽極氧化選擇18~22℃。

  電壓陽極氧化電壓決定氧化膜的孔徑大小,低壓生成的膜孔徑小,孔數(shù)多,而高壓生成的膜孔徑大,孔數(shù)小,一定范圍內(nèi)高壓有利于生成致密,均勻的膜。

陽極氧化

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